Número do Produto do Fabricante:
TSM130NB06LCR RLG
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
TSM130NB06LCR RLG-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 10A/51A 8PDFN
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 10A (Ta), 51A (Tc) 3.1W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5.2x5.75)
Inventário:
7500 Pcs Novo Original Em Estoque
12896051
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TSM130NB06LCR RLG Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
10A (Ta), 51A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2175 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.1W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-PDFN (5.2x5.75)
Pacote / Estojo
8-PowerLDFN
Número do produto base
TSM130
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
TSM130NB06LCRRLGTR
TSM130NB06LCRRLGCT
TSM130NB06LCRRLGDKR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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